响应度（Responsivity）单位光功率产生的光电流（A/W），与波长强相关。例如硅光电二极管在900nm响应度达，而在400nm*。暗电流（DarkCurrent）无光照时的泄漏电流，决定低功率测量极限。高性能InGaAs探头暗电流可<1pA（-110dBm）。偏振相关损耗（PDL）入射光偏振态变化引起的测量偏差。质量探头PDL<±，确保重复性。响应时间受载流子渡越时间（tr）和RC电路延时影响。硅二极管tr约1ns，但大负载电阻（如1MΩ）可使总响应时间达毫秒级23。深圳市美佳特科技有限公司
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